赛道Hyper | 低温PSPI材料告急：国产公司有机会？

作者：周源

随着全球半导体行业向先进封装技术加速转型，材料供应链的稳定性正面临新考验。

5月下旬，从供应链权威渠道获悉，台积电（TSMC）在先进封装领域的产能扩张计划，直接引发了低温光敏聚酰亚胺（PSPI）材料的全球供应紧张。

作为该材料的主要供应商之一，日本旭化成因全力保障台积电需求，不得不对中国封测企业实施限供，这一变化意外推升国产低温PI材料的产业化速度。

近年来，台积电在先进封装领域的布局堪称激进。

台积电当前封装的核心技术——CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）：通过三维堆叠实现芯片性能跃升，已成为英伟达H100/H200等AI芯片的关键封装方案。

为满足市场需求，台积电计划提升CoWoS高达1倍的产能；在5下旬，台积电的扩产需求影响到专业材料供应。

这一扩张不仅涉及中国台湾本土，还包括在日本熊本建设新的封装基地，预计将引入CoWoS技术生产线。

低温PSPI材料在先进封装中承担着关键角色。

这种材料具有低介电常数、高耐热性和光刻兼容性，被广泛应用于硅中介层的层间绝缘、RDL（重新布线层）制备以及TSV（硅通孔）填充等工艺。

日本旭化成长期是台积电低温PSPI材料的主要供应商之一。

该公司凭借在电子材料领域的技术积累，其PSPI产品在耐热性（Tg≥320℃）和分辨率（0.1μm级）等指标上处于行业头部水平。

但随着台积电产能激增，旭化成的产能瓶颈逐渐显现。

为优先保障核心客户需求，自2025年第二季度起，旭化成将无法再供应中国封测企业。这一限供措施直接冲击了中国封测行业。

长电科技、通富微电等头部企业在先进封装领域的扩产计划面临材料断供风险。了解到，近期已有多家国内封测巨头接到旭日成明确停止供应低温PSPI材料的通知函。

“那怎么办？”询问供应链。多位人士表示，“只能加速验证国产的，当然也包括其他公司的，多管齐下。”

国产供应商在此背景下迎来发展契机。

明士新材料在低温PSPI研发中取得阶段性成果，其自主研发的产品固化温度≤250℃、分辨率达0.1μm、介电常数≤3.0（1MHz），性能指标接近国际头部企业同类产品。

该公司的这种材料通过国内头部封测厂的工艺验证，已进入供应链体系，适配先进封装领域的技术需求。在存储芯片封装场景中，这种材料特性可满足HBM3存储芯片堆叠与3D IC集成对绝缘层的精密要求。

但很奇怪，根据广东省深圳市中级人民法院公开裁定文书，明士新材料于2024年7月因资不抵债被债权人申请破产重整，目前处于司法重整阶段。

拥有高端封装所需的材料，却资不抵债导致破产重整，最大的可能是该公司的这种材料并未得到产业验证。截至当前，明士新材料尚未披露重整后的技术团队整合及生产恢复计划。

国内还有家公司叫做艾森股份，是国内首家实现正性PSPI量产的企业，其产品分辨率达3μm，适用于传统晶圆级封装（WLP）及部分2.5D封装底层结构。

但艾森股份提供的不是低温PSPI材料，更适合中低端封装场景，达不到高端场景应用要求。

国内企业的技术突破源于长期的研发积累和政策支持。

像鼎龙股份，依托在OLED显示用PSPI领域的技术储备，开发出适配半导体封装的低温固化配方，重点解决了边缘光刻清晰度问题；另外强力新材，聚焦光刻胶配套材料，开发出低吸湿性PSPI前驱体，适配晶圆级封装（WLP），并通过通富微电的测试验证。

其中，强力新材还从旭日成挖了角，重点开发和旭日成对标的低温PSPI材料。

这些进展表明，国产低温PSPI正在从实验室走向产业化应用。此次市场需求的意外爆发，为国产材料提供了难得的窗口期。

随着Chiplet技术的普及和3D封装的深化，低温PSPI的性能要求将进一步提升。

国内企业需在以下领域持续突破：一是降低固化温度至200℃以下，以适配更多先进制程；二是提升耐温性至350℃以上，满足车规级芯片需求；三是开发无氟配方，解决环保和成本问题。

在这个过程中，产业链协同将成为关键。

台积电的扩产动作正在重塑全球半导体材料供应链格局。低温PSPI领域的国产替代不仅是技术突破，更是产业链自主可控的关键一步。从目前的技术发展阶段来看，国内有望在3-5年内实现低温PSPI的规模化产业应用，为先进封装产业提供坚实支撑。